杏彩体育官网入口:BeSTMOS 600V 650V 700V TO-220F TO-247 TO-252 选型说明

产品介绍

　　高速半桥栅极驱动器，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号

　　氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3

　　近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A

　　封装IGBT单管 /

　　abric-sdk-java是Hyperledger Fabric1.1的Java SDK